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從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

  • 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進一步。現(xiàn)代應(yīng)用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
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IMEC，加碼MRAM

  • 不只是 imec，當下諸多研究機構(gòu)紛紛表示，看好 MRAM。
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一種新型存儲技術(shù)問世

  • 大阪大學的研究人員介紹了一項創(chuàng)新技術(shù)，可以降低現(xiàn)代存儲設(shè)備的功耗。
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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【供應(yīng)商亮點】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型

  • Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
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MRAM，新興的黑馬

  • 1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅(qū)動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統(tǒng)在運行過程中對數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優(yōu)點，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲設(shè)備之一。存儲技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
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臺積電新型存儲技術(shù)問世，功耗僅為同類技術(shù)的1%

  • 臺積電利用其自身先進的制程優(yōu)勢，正在積極推動新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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MRAM：RAM和NAND再遇強敵

  • M 是一種非易失性存儲技術(shù)，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
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迷人的新型存儲

  • 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程?，F(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強?！沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
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尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

  • 據(jù)外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產(chǎn)了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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工業(yè)儲存技術(shù)再進化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身

  • 近年來，半導(dǎo)體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲存技術(shù)早已成為工控設(shè)備的主流配備。近年來，半導(dǎo)體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
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一文讀懂｜三大新興存儲技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
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MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

  • 　　據(jù)報道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預(yù)計MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點?！　∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨?！　∵@種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

  • 　　在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。　　MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術(shù)，從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于 DRAM，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。　　英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術(shù)可在200℃下實
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